第1章绪论单元测试

1、单选题：
‎晶闸管电路控制方式主要是采取何种控制方式？‍
选项：
A: 相控
B: 斩控
C: 自控
D: 不控
答案: 【 相控】

2、多选题：
电力电子技术常使用大功率半导体器件有？‏​‏
选项：
A: 晶闸管
B: MOSFET
C: 晶体管
D: IGBT
答案: 【 晶闸管;
MOSFET;
IGBT】

3、判断题：
‌晶闸管属于半控型器件，对吗？‌‌‏‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、填空题：
​电力电子学是哪几方面知识的融合？‏
答案: 【 电力学，电子学，控制理论】

第1章绪论：线上随堂测试

1、多选题：
电力电子技术常使用大功率半导体器件有？​‍​
选项：
A: 晶闸管
B: MOSFET
C: 晶体管
D: IGBT
答案: 【 晶闸管;
MOSFET;
IGBT】

2、判断题：
‎晶闸管属于半控型器件，对吗？‎‎‍‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

在线测试：PN节和电力二极管

1、单选题：
若PN结外加反向电压，其内部空间电荷区宽度将如何变化？‎​‎
选项：
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 乱变
答案: 【 变宽】

2、判断题：
‏电力二极管在外加正向电压后，就立即导通？‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、填空题：
‌在PN结的形成原理中，由于载流子的浓度差引起，电子向P区扩散，空穴向N区扩散的运动，称为     运动？‌
答案: 【 扩散】

在线测试：晶闸管的工作原理

1、多选题：
‌晶闸管有哪三个联接端？‏
选项：
A: 阳极A
B: 阴极K
C: 门极（控制端）G
D: 漏级D
答案: 【 阳极A;
阴极K;
门极（控制端）G】

2、多选题：
​以下有关表述正确的是：晶闸管是？‌
选项：
A: PNPN结构半导体器件
B: 大功率半导体器件
C: 半控型器件
D: 不控型器件
答案: 【 PNPN结构半导体器件;
大功率半导体器件;
半控型器件】

3、判断题：
晶闸管模型可以看成是双晶体管模型？​​​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

在线测试：晶闸管的性能指标

1、单选题：
‍晶闸管的额定电流时，通态峰值电压降为？​
选项：
A: 0.5v
B: 0.7v
C: 5v
D: 1.5v-2v
答案: 【 1.5v-2v】

2、判断题：
晶闸管的定额电压为UR=max( UDRM ,URRM )？‏‌‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、填空题：
‌额定电流IFR   -通态平均电流 IT(AV）定义为：国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40°C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大_____电流的平均值。‌‌‎‌
答案: 【 工频正弦半波】

在线测试：电力场效应晶体管

1、判断题：
电力MOSFET可以承受双向电流？‏‏‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‍BJT是全控型器件？​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

在线测试：绝缘栅双极晶体管

1、判断题：
IGBT是电流驱动型器件？‏‍‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
IGBT模型结构可以看成是GTR和MOSFET的组合模型结构？‎​‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

在线测试：集成电力电子模块

1、判断题：
智能功率模块（Intelligent Power Module——IPM）可以看成是集成功率电路+集成驱动电路+智能保护电路？‏​‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第2章单元测试-全控型器件

1、多选题：
‍电力MOSFET（Power MOSFET）有哪几个引脚？​
选项：
A: 栅极G
B: 源极S
C: 漏极D
D: 门级G
答案: 【 栅极G;
源极S;
漏极D】

2、判断题：
IGBT是电流驱动型器件？‍‏‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
IGBT模型结构可以看成是GTR和MOSFET的组合模型结构？​‍​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
电力MOSFET可以承受双向电流？‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‎BJT是全控型器件？‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‌P-MOSFET是半控型器件?​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
P-MOSFET是正电压型驱动？‌‎‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第2章综合单元测试

1、单选题：
‍晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的   来表示的。‍‍‍
选项：
A: 有效值  
B: 最大值   
C: 平均值 
D: 瞬时值
答案: 【 平均值 】

2、单选题：
‏比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是   ‏‏‏
选项：
A: IGBT   
B: MOSFET  
C: GTR   
D: GTO
答案: 【 MOSFET  】

3、单选题：
​晶闸管在触发电流作用下被触发开通时，只要晶闸管中的电流达到某一临界值时，就可以把触发电流撤除，这时晶闸管仍然自动维持通态，这个临界电流值称为 ​
选项：
A: 擎住电流   
B: 维持电流    
C: 最小电流   
D: 最大电流
答案: 【 擎住电流   】

4、多选题：
‍在如下器件：属于全控型器件的是   ‎‍‎
选项：
A: IGBT  
B: MOSFET  
C: 晶闸管 
D: GTO
答案: 【 IGBT  ;
MOSFET  ;
GTO】

5、多选题：
‎下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有‏
选项：
A: IGBT开关速度高于电力MOSFET
B: IGBT是电压驱动型器件
C: 电力MOSFET存在二次击穿问题
D: IGBT具有擎住效应
答案: 【 IGBT是电压驱动型器件;
IGBT具有擎住效应】

6、多选题：
​开关频率提高对变换器有什么影响？‏​‏
选项：
A: 开关频率的提高会使系统的动态响应加快
B: 电力电子装置的体积将减小,有助于电力电子器件的小型化
C: 变